Выпуск 14-нанометровых чипов начнется в 2014 году

чип // CyberSecurity.ru // — 14-нанометровые чипы будут базироваться на трехмерной транзисторной архитектуре, подобной фирменной технологии Intel Tri-Gate. Как рассказали в компании, 14-нанометровый XM-процесс (eXtreme Mobility) будет задействовать новые транзисторы 3D FiFET, которые предусматривают экономичный расход электроэнергии в мобильных устройства.

В компании говорят, что перейдут на 14-нм норму уже через год после внетредния нормы в 20 нанометров. Отметим, что ранее компании Intel и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) объявили, что в том же 2014 году перейдут на выпуск 14-нанометровых чипов.

Архитектура Globalfoundries 14-нм XM включает в себя комбинацию 14-нанометровых FinFET-транзисторов и технологию экономичного расхода электроэнергии, которая впервые будет опробована на 20-нанометровых чипах. Впервые эти разработки будут объединены именно на 14-нанометровых разработках.

Роджер Кей, аналитик компании Endpoint Technologies Associates, говорит, что на первый взгляд объединение 14- и 20-нанометровых разработок выглядит нелогичным, но сама по себе технология экономичного расхода не имеет жесткой привязки к размеру транзисторов и в большей степени ориентирована на общие архитектурные нужды производителей. «Впервые она будет опробована на 20-нанометровых чипах, тогда как высокая эффективность будет достигнута именно на 14 нанометрах», — говорит Кей.

Что касается 20-нанометровых чипов, то их созданием Globalfoundries занимается совместно с британской ARM Holdings. Ранее две компании уже работали над оптимизацией процессоров ARM Cortex A, но новое сотрудничество компаний расширяет программу партнерства и будут производить 20-нанометровые микрочипы в соответствии с новой производственной технологией FinFET.

Со своей стороны ARM предложит партнерству библиотеку Artisan, компоненты системной логики и памяти, которые лягут в основу новых SoC-систем, а GlobalFoundries будет создавать оптимизированные физические компоненты и тестировать их производительность на основе будущих микроядер ARM Cortex. 

Помимо этого, новая инициатива будет охватывать графическую технологию ARM Mali, все более активно используемую в мобильных устройствах.

В Globalfoundries говорят, что 20-нанометровая технология LPM или Low Power Module потенциально может увеличить производительность чипов на 40% при сохранении их физических размеров и энергопотребления на нынешних уровнях. В сравнении с нынешними 28-нанометровыми чипами, 20-нанометровые разработки предусматривают вдвое более плотное размещение элементов чипа.

В болеее отдаленной перспективе — примерно в 2018 году — производители планируют начать выпуск 10-нанометровых чипов, которые уже будут производиться из 450-миллиметровых кремниевых подложек.

Первые партии 450-миллиметровых подложек компании намерены начать производить в 2016-17 годах, когда ключевой производитель соответствующего оборудования, компания ASML Holdings, в 2015 году начнет производство нового оборудования.

На сегодня в мире работает консорциум Global 450 Consortium, который объединяет чипмейкеров, планирующих переход на новые технологические нормы, связанные с 450-мм подложками. Сейчас туда входят компании Intel, Samsung, IBM, GlobalFoundries и недавно туда вошла TSMC. От каждой компании туда было направлено по 20 инженеров для разработки единых подходов и преодоления общих отраслевых сложностей, связанных с переходом.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *